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2N5686G中文资料

2N5686G图片

2N5686G外观图

  • 大小:114.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:50A; DC Current Gain Max (hfe):2 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):5V @ 10A,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 25A,2V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 频率 - 转换:2MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AE
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:2N5686GOS

2N5686G供应商

更新时间:2023-01-16 13:10:14
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